阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管,从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短,因此,其特长是急速地变成关闭的转移时间显著地短。阶跃恢复二极管也有导通和截止两种工作状态。而且导通和截止有一定的工作条件。如果给正极加上高于负极的电压,称为二极管的正向偏置电压,当该电压达到一定数值时二极管导通,导通后二极管相当于一个导体,电阻很小,相当于接通。
当二极管两端外加电压发生变化时,一方面pn结宽窄变化,势垒区内的施主阴离子和受主阳离子数量会改变;另一方面扩散的多子和漂移的少子数量也会因电压变化而改变。这种情况与电容的作用类似,分别用势垒电容和扩散电容来表示。当二极管两端外加正向电压时,它削弱pn结的内电场,扩散运动加强,漂移运动减弱,扩散和漂移的动态平衡被破坏,扩散运动大于漂移运动,结果导致p区的多子空穴流向n区,n区的多子电子流向p区,进入p区的电子和进入n区的空穴分别成为该区的少子,因此,在p区和n区的少子比无外加电压时多,这些多出来的少子称为非平衡少子。
在正向电压作用下,p区空穴越过pn结,在n区的边界上进行积累,n区电子越过pn结,在p区的边界上进行积累,这些非平衡少子依靠积累时浓度差在n区进行扩散,形成一定的浓度梯度发布,靠近边界浓度高,远离边界浓度低。空穴在向n区扩散过程中,部分与n区中的多子电子相遇而复合,距离pn结边界越远,复合掉的空穴就越多。反之亦然,电子在向p区扩散过程中,部分电子与p区中的多子空穴相遇而复合,距离pn结边界越远,复合掉的电子就越多。二极管正向导通时,非平衡少数载流子就会在边界附近积累,产生电荷存储效应。
二极管导通后,在回路中的电流流向是从正极流向负极,不能从负极流向正极,否则二极管已经损坏。
二极管导通的条件:
正向偏置电压,正向偏置电压大到一定程度,对于硅管而言0.7v,对于锗管而言为0.2v。
对于一个硅二极管正向电压大于0.5v的时候,就会有正向电流。通常情况下,硅二极管正向电压不会超过0.7v。那如果在这个二极管两端加上10v的电压,那么此时经过电源内阻限流后,电流超过了此二极管所能承受的**电流,二极管就被烧毁了!不超过二极管的允许**电流,那么肯定是电源有内阻承担了另外过多的电压。此时二极管的电压肯定是0.7v。它的作用和稳压管类似,只要符合了稳压管的条件它就稳压,超过了或者不稳压,或者被烧毁。如果是一个能力特别强的电源,比如是理想电源,那么二极管肯定是被击穿的。也就是,在二极管没有被击穿的情况下,这个硅二极管两端的电压一般就是0.5v-0.7v左右了。这就是导通后的稳压特性了。如果没有电阻或者其它的器件为它承担多余的电压,它肯定会被击穿或者烧毁。
上述就是
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