硅功率变容二极管主要电特性参数（ta=25℃)-凯发k8手机网页

參数名称

击穿

电压

反向

电流

结电容

电容

变比

电容

变比

电容

变比

优

值

截至

频率

封装

类型

符号

v_(br)

i_r

c_j(0)

γ1

γ2

γ3

q

f_c

一

测试条件

i_r=10μa

v_r=30v

v_r=0v

f=1mhz

c_j0/c_j(-6)

c_j-13/c_j(-6)

c_j-35/c_j(-6)

v_r=6v

f=500mhz

v_r=6v

f=500mhz

一

单位

v

μa

pf

一

一

一

一

ghz

一

型号\极限值

最小

最大

最大

最小

最小

最小

最小

最小

一

wb1006h

一

1

1.5~2.5

1.2~1.7

0.75~0.95

一

一

50

t3011

wb1007h

60

一

1.5~2.5

1.2~1.7

一

0.7~0.9

30

一

t556

wb1008h

50

一

5.0~7.0

1.2~1.7

一

0.7~0.9

50

一

t556