砷化镓倍频变容二极管主要电特性参数（ta=25℃)-凯发k8手机网页

參数名称

击穿电压

反向电流

正向

微分电阻

结电容

电容变比

优值

截至频率

封装

类型

符号

v_(br)

i_r

r_f

c_j(-0)

γ

q

f_e

一

测试条件

ir=10μa

vr=0.8v_(br)

i_f=20ma

f=50hz

v_r=0v

f=1mhz

c_t0/c_tv(br)

v_r=0v

f=9.375ghz

v_r=6v

f=9.375ghz

一

单位

v

na

ω

pf

一

一

ghz

一

型号\极限值

最小

最大

最大

最大

最小

最小

最小

一

wb6012a

20

15

3.0

0.5～0.75

3.0

8

一

w205

wb6012b

20

15

3.0

0.5～0.75

3.0

10

一

wb6022a

20

15

3.0

0.75～1.0

3.0

5

一

wb6022b

20

15

3.0

0.75～1.0

3.0

8

一

wb6031

10

15

3.0

1.0~1.5

2.5

4.5

一

wb6032

20

15

3.0

1.0~1.5

3.2

4.5

一

wb6033

30

15

3.0

1.0~1.5

3.8

4.0

一

wb6041

10

15

3.0

1.5～2.0

2.7

3.5

一

wb6042

20

15

3.0

1.5～2.0

3.5

3.5

一

wb6043

30

15

3.0

1.5～2.0

4.0

3.5

一

wb6051

10

15

3.0

2.0～3.0

2.7

3.0

一

wb6052

20

15

3.0

2.0～3.0

3.5

3.0

一

wb6053

30

15

3.0

2.0～3.0

4.0

3.0

一

wb751

15

15

2.0_@50ma

0.08～0.20

一

一

100

wb752

20

15

2.0_@50ma

0.08～0.20

一

一

100

wb2004a

25

100

3.0

0.35～0.45

2.0

一

100

t209

wb2004b

25

100

3.0

0.35～0.45

2.0

一

200

wb2004c

25

100

3.0

0.45～0.55

2.3

一

100

wb2004d

25

100

3.0

0.45～0.55

2.3

一

200

wb2004e

25

100

3.0

0.55～0.65

2.6

一

100

wb2004f

25

100

3.0

0.55～0.65

2.6

一

150

wb2006

15

100

3.0

0.15~0.25

1.5

一

100

w121

wb2008a

25

100

3.0

0.5～1.5

3.0

一

50_@4v

f25-1

wb2008b

35

100

3.0

0.5～1.5

4.0

一

50_@4v

wb2009h

15

100

3.0@40ma

0.1～0.2

1.5

一

20

t129

wb2012

15

100

3.0

0.15～0.25

一

一

550

t089

wb2002

20

50

3.0

0.1～0.3

一

一

100

芯片