西安国创电子股份有限公司
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硅电调变容二极管主要电特性参数(ta=25℃)
參数名称
击穿电压
反向电流
正向微分电阻
总电容
电容变比
优值
截至
频率
封装类型
符号
v(br)
ir
rf
cj(-2)
ct(-4)
ct(-20)
γ
q
fe
一
测试条件
ir=10μa
vr=60v
if=20ma
f=50hz
vr=2v
f=1mhz
vr=4v
vr=20v
ct-4/ct-60
f=9.375ghz
单位
v
na
ω
pf
ghz
型号\极限值
最小
最大
wb1001a
100
2.5
60~100
2.0~3.5
120
do-7
wb1001b
3.5~4.5
wb1001c
78~86
3.0~3.2
150
wb1001d
3.4~3.6
wb1001e
3.0~3.6
wb1001f
3.2~3.4
wb3321
50
15@40v
2.2
1.0~1.2
5.0@ct0/ct-50
t209
wb3322
5.5@ct0/ct-50
60
wb3323
6.0@ct0/ct-50
wb3324
6.5@ct0/ct-50
wb3331
1.2~1.5
wb3332
wb3333
wh3334
wb1015a
100@12v
0.6@100ma
96~144
7@ct-2/ct-10
200@2v,1mhz
wb1015b
10@ct-2/ct-10
wb1016
40
50@40v
1.2@50ma
1.4~1.8
6.5@ct0/ct-40
800@4v,50mhz
wb1017h
100@25v
1.5@30ma
19~25
(3~5)@10v
5@ct-2/ct-10
200@4v,50mhz
w202
wb1020h
2.0
60@0v
(22~28)@3v
7@10v
30@10v,500mhz
w304
wb1021h
100@20v
40~55
35~45
(23~33)@10v
do-7一7
wb1009a
35
1.6
(5~6)@9v
(2~2.5)@22v
2@ct-9/ct-22
50@20v,500mhz
w205
wb1009b
(5~7)@9v
(2~3)@22v
wb1010
20
3.0
0.72~0.88
0.30~0.38
7@ct0/ct-20
450@4v,50mhz
wb1011
0.90~1.10
0.34~0.42
wb1012
3.51~4.29
0.93~1.18
300@4v,50mhz
wb1013
0.60~0.76
0.18~0.26
9@cj0/cj-20
芯片
wb1014
0.78~1.00
0.22~0.30
wb0933h
100@45v
0.5@100ma
29~35
2.5@ct-4/ct-45
15@4v,50mhz