西安国创电子股份有限公司
电话:029-81777492
qq: 1652544828
地址:陕西省西安市高新区唐延路11号禾盛京广中心d座
參数名称
击穿电压
反向电流
正向微分电阻
总电容
电容变比
截至频率
封装
类型
符号
v(br)
ir
rf
cj(-0)
ct(-2)
ct(-4)
γ
fe
一
测试条件
ir=10μa
vr=0.8v(br)
if=20ma
f=50hz
vr=0v
f=1mhz
vr=2v
vr=4v
ct0/ctv(br)
f=9.375ghz
单位
v
na
ω
pf
ghz
型号\极限值
最小
最大
wb64711~64714
15
3.0
1.2~2.5
4.5~6.0
40~50
w205
wb64721~64724
20
wb64811~64814
0.75~1.2
3.5-4.0
50~80
wb64821~64824
—
3.5~4.0
wb70101
3.0~4.0
1.5~3.0
7.0
40
t209
wb70102
60
wb70111
8.0
wb70112
wb70201
4.0~5.5
7.5
wb70202
wb70211
4.0~5_5
8.5
wb70212
wb7611
2.0~3.5
4.7
ti29
wb7612
70
wb7613
5.5
wb7614
wb7615
6.3
wb7616
wb7621
18
3.5~5.0
5.7
wb7622
wb7623
6.4
wb7624
wb7625
7.1
wb7626
wb7631
5.0~7.0
wb7632
7.4
wb7633
wb2005ha
50
(0.5~1.0)a
4.5
50@6v
t182
wb2005hb
(1.0~2.0)a
wb2005hc
(2.0~3.0)a
6.5
wb2005hd
(3.0~5.0)a
wb2007a
100
10~12
10
wb2007b
30
wb2011h
2.5
7~10
10.0
10@500mhz
注:a此电容值为零偏压结电容。