西安国创电子股份有限公司
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参数名称
击穿
电压
正向
微分电阻
总电容
反向
电流
瞬态热阻
载流分子寿命
反向恢复
时间
串联电阻
压降
封装
类型
符号
v(br)
rf
ctot
ir
rth
t
trr
rs
vf
—
测试条件
ir=10μa
if=100ma
f=50hz
vr=30v, f=lmhz
vr=200v
tw=1s
if=10ma
ir=100ma
f=100mhz
单位
v
ω
pf
μa
℃/w
ns
型号|极值值
最小
最大
wk0001h
3.5@20ma
0.45@50v
1@150v
300@10s(typ)
1.05@100ma
do-35
wk0002a
2.6@20ma
0.1@0v/0.07@(-6v)
1@80v
75@(0.5a,10ms)
120
w121
wk0002b
w122
wk0003
1.0
0.6@50v
1@100v
350
芯片
wk0004
1.2
0.05@50v
130
wk31a
4.5@20ma
0.05-0.1
20@20/200ma
b341
wk314a
5.0@20ma
0.1
1@50v
8@20/200ma
wk351
50
0.25@(-6v)
wk352
0.3@(-6v)
wk361
0.6
3.5@50v
1@300v
55@1a
82000
0.35(typ)
0.95@100ma
do-41
wk362
4@50v
wk39h
2.5@20ma
1.2@50v
116@10s(typ)
0.58(typ)
1.0@100ma
wk4153h
2.5@0v
8@10/10ma
0.55@0.1ma
注:wk31a、wk314a、插损、隔离度见分类表
隔离度
插损
is0
il
f=(16.0~16.5)ghz
vr=12v
if=15ma
f=(16.5~17)ghz
db
wk311a
10
1.5
wk311b
wk312a
20
wk312b
wk313a
25
0.75
wk313b
f=(15.9~16.1)ghz
vr=5v
23
1
wk314b
15