西安国创电子股份有限公司
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地址:陕西省西安市高新区唐延路11号禾盛京广中心d座
参数名称
击穿
电压
正向
微分电阻
结电容
反向
电流
瞬态热阻
载流分子寿命
反向恢复
时间
串联电阻
压降
封装
类型
符号
v(br)
rf
cj
ir
rth
t
trr
rs
vf
—
测试条件
ir=10μa
if=100ma
f=50hz
vr=30v, f=lmhz
vr=200v
tw=1s
if=10ma
ir=100ma
f=100mhz
单位
v
ω
pf
μa
℃/w
ns
型号
极值值
最小
最大
wi0001ha
20
1.5
0.08-0.2
芯片
wi0001hb
28
0.08-0.15
wi0002
0.5
3.0@0v/2.4@6v
1@40v
30@(0.5a,10ms)
c406
wi0003
2.0@50ma
0.15@0v
1@50v
wi0004f
0.6
0.8@0v
1@120v
80
60
w122
wi0005f
15
1.2
0.3@0v
120@(0.5a,10ms)
15@6/10ma
wi0006f
30
100@(0.5a,10ms)
5@6/10ma(typ)
wi0004
wi0005
wi0006
wi0007h
ct:(1.5-2.2)@0v
t209
wi0009h
20-35
ct:0.4@0v
150@(0.5a,10ms)
wi0010h
1.0
0.35@0v
wi0011
0.7
ct:1.0@0v
0.6@10ma
w121
wi0012h
25-40
2.5
0.2@0v
wi0013h
1.0@0v
1@100v
wi3211
(0.15-0.2)@0v
100@10ms
t124
wi3212
(0.2-0.25)@0v
wi3213
(0.25-0.3)@0v
wi3221
wi3222
wi3223
wi3311
35
0.65
(0.45-0.75)@0v
60@(0.5a,10ms)
t204(正装)
wi3312
t204(反装)
wi3321
40
(0.55-0.65)@0v
wi3322
wi341
(0.4-0.7)@0v
w202
wi342
(0.5-0.6)@0v
wi371
(0.1-0.15)@0v
200@10ms
wi372
25
(0.15-0.25)@0v