肖特基势垒混频二极管芯片主要电特性参数（ta=25℃）-凯发k8手机网页

参数名称

正向

电压

正向

电压差值

击穿电压

正向

微分电阻

反向电流

结电容

噪声系数

封装类型

符号

v_f

△v_f

v_(br)

r_f

i_r

c_j

nf

－

测试条件

i_f=1ma

i_f1=1ma i_f2=0.3ma

i_r=10µa

i_f=20ma

f=5khz

v_r=2v

v_r=0v

f=1mhz

nf_if=1.5db，p_in=1.0mw，

f_if=30mhz，f=3ghz

－

单位

mv

mv

v

ωw

µa

pf

db

－

型号|极限值

最大

最大

最小

最大

最大

最大

最大

－

wh1004

280

45

2.0

15

10

0.60

6.5＠f=3ghz

芯片

wh1005

300

45

2.0

15

10

0.45

6.5@f=6ghz

wh1006

320

45

2.0

15

10

0.18

7.0@f=9.375ghz

wh1007

330

47

2.0

18

10

0.15

7.5@f=16ghz

wh1008

350

50

2.0

20

10

0.10

8.5@f=24ghz

wh1009

400

45

3.0

15

－

0.60

6.5＠f=3ghz

wh1010

430

45

3.0

15

－

0.18

7.0@f=9.375ghz

wh1011

440

47

3.0

18

－

0.15

7.5@f=16ghz

wh1012

450

50

3.0

20

－

0.10

8.5@f=24ghz