场效应晶体管简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而fet仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管，它属于电压控制型半导体器件。国创在此分享场效应晶体管的分类及参数！
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（jfet）因有两个pn结而得名，绝缘栅型场效应管（jgfet）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是mos场效应管，简称mos管（即金属-氧化物-半导体场效应管mosfet）；此外还有pmos、nmos和vmos功率场效应管，以及最近刚问世的πmos场效应管、vmos功率模块等。
按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和p沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和mos场效应晶体管。而mos场效应晶体管又分为n沟耗尽型和增强型；p沟耗尽型和增强型四大类。
场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数：
1、idss—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压ugs=0时的漏源电流。
2、up工作在开关状态下的三极管都可以叫开关管。三极管有pnp、npn、单结晶体管等。
上述就是
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