达林顿晶体管是一对双极晶体管，连接在一起，从低基极电流提供非常高的电流增益。它采用复合连接方式,将两只三极管适当的连接在一起，以组成一只等效的新的三极管,极性只认前面的三极管。这等效三极管的放大倍数是是两个三极管放大倍数的乘积。在电子学电路设计中，达林顿接法常用于功率放大器和稳压电源中。
达林顿晶体管也被称为达林顿对，由贝尔实验室的西德尼达林顿于1953年发明。在1950年代和1960年代，它也被称为超级阿尔法对。
达林顿晶体管通常具有低功耗、高增益的特性，使其对输入电流的微小变化非常敏感。由于这个原因，达林顿通常用于触摸和光传感器。光电达林顿专为光敏电路而设计。
输出侧通常是高功率、低增益的。使用非常高功率的晶体管，它可以控制电机，电源逆变器和其他大电流设备。中等功率设计通常与集成电路（ic）逻辑一起使用，以驱动螺线管、发光二极管（led）显示器和其他小负载。
与使用标准单晶体管相比，达林顿晶体管设计具有多个优势。该对中每个晶体管的增益相乘，从而产生相当高的总电流增益。输出晶体管的最大集电极电流决定了输出晶体管对的最大集电极电流，可以是100安培或更高。需要的物理空间更少，因为晶体管通常封装在一个器件中。另一个优点是整个电路可以具有非常高的输入阻抗。
晶体管通常遵循与单个晶体管相同的设计规则，但有一些限制。它需要更高的基极发射极电压才能导通，通常是单个晶体管的两倍。它的关断时间要长得多，因为输出晶体管基极电流不能主动关断。通过在输出晶体管的基极和发射极之间连接放电电阻，可以减少这种延迟。然而，由于这种滞后时间，达林顿不太适合高频应用。
达林顿晶体管的饱和电压也更高，硅的饱和电压通常为0.7v dc，而不是约0.2v dc。这有时会导致更高的功率耗散，因为输出晶体管不能饱和。在更高的频率下，更大的相移也是可能的，这可能会导致负反馈下的不稳定。
上述就是
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