达林顿晶体管是由两个普通的npn型晶体管级联而成的整体结构。它可以将两个晶体管的放大系数相加，从而实现更高的放大倍数，同时也减小了输出电阻。
达林顿晶体管采用复合连接方式，将两只或更多只晶体管的集电极连在一起，而将**只晶体管的发射极直接耦合到第二只晶体管的基极，依次级连而成，最后引出e、b、c三个电极。
当输入信号加到**个npn型晶体管的基极时，它的发射极就会导通，将电流传送给第二个npn型晶体管的基极。此时第二个晶体管的基极-发射极间的电压就增大，使得第二个晶体管输出的电流也增大。因此，我们可以通过控制**个晶体管的输入电流来控制整个达林顿晶体管的输出电流。
达林顿晶体管的特点
1.输入阻抗高，可以被普通的ttl，cmos门电路驱动。
2.饱和导通ce之间的压降大，开关状态下损耗大。
3.放大倍数大，驱动能力强。
注：达林顿管选择需要考虑的参数：ce反向耐压、工作电流、放大倍数、耗散功率。
上述就是
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