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硅电调变容二极管主要电特性参数(ta=25℃)-凯发k8手机网页

硅电调变容二极管主要电特性参数(ta=25)

參数名称

击穿电压

反向电流

正向微分电阻

电容

电容

电容

电容变比

优值

截至

频率

封装类型

符号

v(br)

ir

rf

cj(-2)

ct(-4)

ct(-20)

γ

q

fe

测试条件

ir=10μa

vr=60v

if=20ma

f=50hz

vr=2v

f=1mhz

vr=4v

f=1mhz

vr=20v

f=1mhz

ct-4/ct-60

vr=4v

f=9.375ghz

vr=4v

f=9.375ghz

单位

v

na

ω

pf

pf

pf

ghz

型号\极限

最小

wb1001a

100

2.5

60~100

2.0~3.5

120

do-7

wb1001b

100

2.5

60~100

3.5~4.5

120

wb1001c

100

2.5

78~86

3.0~3.2

150

wb1001d

100

2.5

78~86

3.4~3.6

150

wb1001e

100

2.5

78~86

3.0~3.6

120

wb1001f

100

2.5

78~86

3.2~3.4

150

wb3321

50

15@40v

2.2

1.0~1.2

5.0@ct0/ct-50


t209

wb3322

50

15@40v

2.2

1.0~1.2

5.5@ct0/ct-50

60

wb3323

50

15@40v

2.2

1.0~1.2

6.0@ct0/ct-50

60

wb3324

50

15@40v

2.2

1.0~1.2

6.5@ct0/ct-50

50

wb3331

50

15@40v

2.2

1.2~1.5

5.0@ct0/ct-50

50

wb3332

50

15@40v

2.2

1.2~1.5

5.5@ct0/ct-50

50

wb3333

50

15@40v

2.2

1.2~1.5

6.0@ct0/ct-50

50

wh3334

50

15@40v

2.2

1.2~1.5

6.5@ct0/ct-50

50

wb1015a

100@12v

0.6@100ma

96~144

7@ct-2/ct-10

200@2v,1mhz

do-7

wb1015b

100@12v

0.6@100ma

96~144

10@ct-2/ct-10

200@2v,1mhz

wb1016

40

50@40v

1.2@50ma

1.4~1.8

6.5@ct0/ct-40

800@4v,50mhz

t209

wb1017h

100@25v

1.5@30ma

19~25

(3~5)@10v

5@ct-2/ct-10

200@4v,50mhz

w202

wb1020h

100@25v

2.0

60@0v

(22~28)@3v

7@10v

30@10v,500mhz

w304

wb1021h

100@20v

1.5@30ma

40~55

35~45

(23~33)@10v

200@4v,50mhz

do-77

wb1009a

35

1.6

(5~6)@9v

(2~2.5)@22v

2@ct-9/ct-22

50@20v,500mhz

w205

wb1009b

35

2.0

(5~7)@9v

(2~3)@22v

2@ct-9/ct-22

50@20v,500mhz

wb1010

20

3.0

0.72~0.88

0.30~0.38

7@ct0/ct-20

450@4v,50mhz

wb1011

20

3.0

0.90~1.10

0.34~0.42

7@ct0/ct-20

450@4v,50mhz

wb1012

20

3.0

3.51~4.29

0.93~1.18

7@ct0/ct-20

300@4v,50mhz

wb1013

20

3.0

0.60~0.76

0.18~0.26

9@cj0/cj-20

450@4v,50mhz

芯片

wb1014

20

3.0

0.78~1.00

0.22~0.30

9@cj0/cj-20

450@4v,50mhz

wb0933h

100@45v

0.5@100ma

29~35

2.5@ct-4/ct-45

15@4v,50mhz

do-7



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